Efectos de un láser intenso no resonante y campos magnéticos y eléctricos externos sobre las propiedades electrónicas y ópticas de nanoestructuras semiconductoras tipo ll

Abstract

Usando la aproximación de masa efectiva en un modelo parabólico de dos bandas y aplicando el método de elementos finitos, se realiza un estudio teórico de los efectos de campos magnéticos y eléctricos externos, de una radiación laser intensa no resonante y la variación de los parámetros geométricos, sobre el espectro energético de un electrón, un hueco y un excitón confinados en un punto cuántico de CdTe/CdSe y CdSe/CdTe tipo núcleo/corteza de morfología cónica truncada. La solución de la ecuación de Schrödinger permite analizar cómo evolucionan las distribuciones espaciales de las partículas en presencia de los campos externos y la variación de los parámetros geométricos de la estructura, y sus efectos sobre las energías para diferentes estados y funciones de onda del electrón y hueco. Además, se calculan los coeficientes de absorción y de cambio de índices de refracción, y los resultados revelan interesantes propiedades ópticas con base en el efecto cuántico de tamaño en semiconductores de forma cónica de tipo II, los cuales pueden ser importantes para una amplia gama de aplicaciones en nanoestructuras semiconductoras. De estos resultados se concluye que el campo eléctrico y magnético, así como la radiación laser, deforman el perfil de potencial de la estructura, alterando sus propiedades electrónicas, debido a los efectos que se producen por la forma en que interaccionan el electrón y el hueco en la nanoestructura, este fenómeno es observado cuando se analiza la función de onda, la integral de coulomb, la integral de solapamiento y el tiempo de vida del excitón.